场效应晶体管（MOSFET）的等效电路

以NMOS为例

图1所示为沟道场效应晶体管的输出特性曲线。

图1 N沟道场效应管输出特性曲线

图 2 显示了 N 沟道场效应晶体管的等效电路。 电容Cgs、Cgd和Cds分别是栅极-源极电容、栅极-漏极电容(米勒电容)和漏极-源极电容。 它们是寄生电容。 它们可以从组件数据中获得。 说明书上找到的。

图2 N沟道场效应晶体管等效电路

场效应晶体管在栅极电压控制下的导通过程分为四个阶段：

之一阶段：t0~t1，栅极电压上升到导通电压，大部分栅极电流对Cgs充电。 此阶段电源处于微导通状态；

第二阶段：t1～t2，栅极电压从导通电压上升到米勒平台电压，场效应晶体管器件开始导通，工作在可变电阻区。 漏极电流与栅极电压之间的特性称为传输特性，栅极电流分别流入寄生电容Cgs和Cgd，输出漏极电流随电压的变化从0开始上升；

第三阶段：t2～t3，栅极电压上升到米勒平台电压，场效应管完全导通，漏极电流达到饱和并保持恒定_+等效电路，此时电源工作在饱和区；

第四阶段：t3~t4，栅极电流继续对电容Cgs、Cgd充电，栅极电压继续升高，直至达到驱动电路提供的电压，此时电源完全开启。